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• Kapazität: 1000GB • Interner Datendurchsatz: 3800 MBps (lesen)/ 3200 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speic
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• Kapazität: 1000GB • Interner Datendurchsatz: 3800 MBps (lesen)/ 3200 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 112-layer 3D NAND flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, Advanced Garbage Collection, Advanced Global Wear Leveling, Blockverwaltung, LDPC Fehlerkorrektur, Power Shield, SLC-Cache, NVM Express (NVMe) 1.4, DDR4 DRAM Cache, 3K P/E-Zyklen (Schreib-/Löschzyklen), dynamisch-thermische Drosselung, Corner Bond-Technologie, PCB Goldfinger, 3D NAND-Technologie mit 112 Layern, Anti-Schwefel-Technologie, Advanced Encrypting Standard (AES), S.M.A.R.T., IEEE 1667