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• Kapazität: 1000 GB • Interner Datendurchsatz: 1800 MBps (lesen)/ 1500 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: 3D-NAND Flash • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.