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• Kapazität: 500 GB • Interner Datendurchsatz: 1900 MBps (lesen)/ 900 MBps (Schreiben) • NAND-Flash-Speichertyp: Quad-Level Cell (QLC) • Formfaktor: M.2 2280 • Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) • Merkmale: Advanced Garbage Collection, LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.