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Kapazitt 1000 GB Interner Datendurchsatz 3400 MBps (lesen)/ 1900 MBps (Schreiben) NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell
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Kapazität: 1000 GB Interner Datendurchsatz: 3400 MBps (lesen)/ 1900 MBps (Schreiben) NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor: M.2 2280 Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe) Merkmale: LDPC Fehlerkorrektur, 3D NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, AHCI