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Kapazitt 256 GB Interner Datendurchsatz 1600 MBps (lesen)/ 800 MBps (Schreiben) NAND-Flash-Speichertyp 3D triple-level cell (
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Kapazität: 256 GB Interner Datendurchsatz: 1600 MBps (lesen)/ 800 MBps (Schreiben) NAND-Flash-Speichertyp: 3D triple-level cell (TLC) Formfaktor: M.2 2280 Schnittstelle: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) Merkmale: TRIM-Unterstützung, thermische Drosselung, Intelligent SLC Caching, Low-Density Parity Check, NVM Express (NVMe) 1.3, S.M.A.R.T.